邹 江，李 平,谢 泉

(1.遵义师范学院物理与电子科学学院，遵义 563006； 2.贵州大学大数据与信息工程学院，贵阳 550025)

0 引 言

氮化铝(AlN)是一种新型的直接带隙宽禁带化合物半导体材料，于1877年被首次合成，其带隙在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中是最宽的，具有禁带较宽、介电常数低、导热性好、热膨胀系数小、光传输特性好等特点，是一种有待开发的高功率集成电路基片和包装材料[1]。AlN可用于光电工程领域，包括在光电储存界面及电子基层方面作诱电层，在高导热性下作晶片载体等[2]。

由于AlN原料充足，生产成本较低，且应用领域极其广泛，用不同元素掺杂AlN受到广泛的研究。现阶段，AlN的n型掺杂相对于p型掺杂在实验中容易实现，主要是AlN带隙较宽、活性较差等因素造成的[3]，从而严重制约了AlN在某些领域的发展和应用，比如光电信息技术领域。高小奇等[4]在理论研究方面利用施主-受主共掺技术，发现同时把p型杂质和激活施主O加入AlN中形成一个复合体，可以增加杂质间的排斥力，降低受主能级，使得受主、施主能级同时浅化，由此可表明施主、受主共掺杂技术是实现高效p型AlN的有效方法。

吴玉喜等[5]计算研究了稀土元素(Y, La)掺杂ZnO的电子结构和光学性质，其结果表明掺杂后体系的带隙变宽，光学性质中出现新的吸收峰，稳定性变强，体系呈金属性等；张春红等[6]理论计算了稀土元素(Sc, Y, La)掺杂CdS的光电性质，研究表明(Sc, Y, La)掺杂后的CdS晶格常数增大，导致晶胞的体积也相应增大。由此表明稀土元素掺杂可以改善材料的光电性质。……