陈冰威，杨雪峰，栗正新，王来福，韩敬贺

(1.河南工业大学，材料科学与工程学院,郑州 450000;2.河南省惠丰金刚石有限公司，河南 商丘 676200)

0 前言

随着科技的发展，电子器件更新换代的速率越来越高，这就导致了对于电子封装材料的要求也越来越高。对于材料的要求正是推动材料发展的动力，所以，现如今的电子封装材料已经经历了三代的发展。

第一代电子封装材料是W/Cu[1-4]、Mo/Cu[2,5-7]合金为首的以钨、钼元素金属颗粒增强铜基形成导热复合材料。该复合材料相较于Invar合金与Kovar合金具有相对较高的导热系数，但是该复合材料主要是以钨、钼金属颗粒作为单独第二相，无法克服密封性差，导热系数小，可加工性差等问题。第二代电子封装材料主要是以碳化硅[8-12]和硅增强铜基、有机基体或铝基作为复合材料。相较于第一代复合材料，第二代复合材料具有导热系数高，气密性好，易加工的特点。但是由于碳化硅和硅的本征热导率较低，进而导致整个复合材料的热导率具有不可突破的上限，所以第三代的电子封装材料应运而生。第三代电子封装材料主要是以碳纳米管[13]、石墨烯[14]、纳米金刚石[15]等高导热碳材料增强铜基或铝基[16-17]制备高导热复合材料。其中，金刚石的本征热导率高(为1200～2000W/(m·K))，铜基的导热能力好，对于温度的适应范围较宽，所以，如今金刚石/铜复合材料的研究已经成为了一个热点方向。

金刚石/铜复合材料的导热系数往往低于计算结果[18-19]，究其原因，是因为金刚石内部为声子导热，金属内部为电子导热，声子与电子的散射会导致复合材料热导系数的下降。……