徐 敏

（重庆银行博士后科研工作站，重庆 400024）

《中国新一代人工智能发展报告2020》显示，中国人工智能国际合作论文数量持续增长，中美两国处于全球人工智能科研合作网络和产业投资网络的中心，在全球人工智能合作网络中发挥了积极作用。2019年我国人工智能领域论文发表数量达2.87万篇，比上年增长12.4%，在人工智能领域各顶级国际会议上的活跃度和影响力不断提升。此外，在近五年的全球人工智能高被引论文前100篇中，我国产出21篇，位居全球第二。我国人工智能专利申请量在2019年超过了3万件，比上年增长了52.4%。现今我国人工智能的发展虽然已经处于国际主流地位，但是仍存在部分“卡脖子”技术，软件层面有操作系统、底层代码、开发平台等，硬件层面上芯片是关键。

为布局未来人工智能的基础硬件研发，学界和工业界应就人工智能未来发展中的核心元器件提前布局，记忆电阻器就是未来人工智能发展的重要核心元器件之一。1971年，美国加州大学伯克利分校的Chua L O[1]在研究非线性电路理论过程中，从电路变量关系的对称性和完备性角度推导出除电阻、电容和电感这三大标准元件之外还存在第4种基本电路元件，并将其命名为“记忆电阻器”，又称“忆阻器”(Memory Resistor，Memristor)，但在当时的现实中并未出现记忆电阻器。直至2008年，惠普公司的研究人员终于首次做出了纳米记忆电阻器件，从此掀起了记忆电阻的研究热潮[2]。记忆电阻器作为纳米级器件，具有极高的集成密度，理论上半宽为5 nm的忆阻器可达到466 GB/cm2的存储密度[3-4]。……