对三联苯有机晶体的生长及性能
2021-11-26许文斌王海丽周振翔石爽爽陈建荣
人工晶体学报 2021年10期
关键词:生长
许文斌,王海丽,李 辉,周振翔,石爽爽,陈建荣,马 捷
(1.中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;2.北京工业大学材料与制造学部,北京 100049)
0 引 言
有机闪烁体按照物理状态可大致分为:单晶、溶液和塑料闪烁体。而其中单晶的效率比溶液、塑料都要好[1]。其中大多数有机闪烁晶体属于苯环结构的芳香族碳氢化合物,对中子、γ射线具有很高的探测效率,是一种很有发展潜力的中子探测材料[2]。有机闪烁晶体中最常见的是蒽、菧和对三联苯晶体,其中对三联苯闪烁晶体具有不吸湿、不会遭受表面变质的优点,而且是一种有高抗辐射性能的有机发光材料,因此在实际应用中具有广泛的前景[3]。且由于其快速的响应时间和良好的闪烁效率在粒子技术、核能谱和放射线检测方面有重要作用。
这些检测性能均取决于晶体本身的质量,晶体中的杂质和缺陷会降低晶体的检测性能。而对三联苯晶体属于分子晶体,以体积较大的有机分子作为基本组成单元,分子间通过较弱的范德华力连接,所以它的结晶性较差,生长困难且速度较慢,而且对三联苯晶体的硬度低、脆性高、易解理,在进一步加工和实际使用过程中容易产生缺陷[4]。对三联苯晶体这种比较严苛的生长和加工条件,导致国内外对该晶体的相关研究较少。坩埚下降法具有成本低、用途广、适应性强和设备简便等优点,因而被广泛的用于有机材料晶体生长领域。鉴于目前对利用坩埚下降法生长大尺寸对三联苯有机单晶的研究尚不完全,仍有很多未知之处,本文尝试采用坩埚下降法,使用简单的单层安瓿生长对三联苯晶体,期望能获得大尺寸、高质量的对三联苯晶体,从而提高该晶体在实际应用中的可行性。……
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