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聚芳酰胺多孔膜的制备及其介电性能研究

2021-11-09朱欢欢牛铭康黄桂明王群梁知权矫庆泽冯彩虹赵芸吕玉珍

北京理工大学学报 2021年10期
关键词:结构

朱欢欢, 牛铭康, 黄桂明, 王群, 梁知权, 矫庆泽,4, 冯彩虹, 赵芸, 吕玉珍

(1.北京理工大学 化学与化工学院,北京 100081;2.华北电力大学 新能源电力系统国家重点实验室,北京102206; 3.珠海蓉胜超微线材有限公司,广东,珠海519040;4. 北京理工大学 珠海学院 材料与环境学院,广东,珠海 519085)

间位聚芳酰胺(PMIA)由于其优异的热性能和机械性能,被认为是高性能的高分子材料. PMIA作为一种特种纤维已被应用于航空航天和军械工业、防弹衣、防护服、运动织物、电绝缘、石棉替代品和工业过滤器等[1-3]. 但是当PMIA被应用于绝缘材料时,其高度规则和刚性的聚合物主链以及分子间氢键作用对聚芳酰胺的介电性能产生负面影响,极大的限制了聚芳酰胺的使用[4-6]. 因此降低聚芳酰胺的介电常数,调控其介电性能成为研究的热点.

目前,降低聚芳酰胺介电常数最常用的方法之一是在聚芳酰胺分子结构中引入三氟甲基基团,由于C-F键较低的极化率和自由体积的增加使得聚芳酰胺具有较低的介电常数. GE等[7]合成了含有三氟甲基的两种新型酰氯单体,采用低温溶液缩聚法与不同的芳香族二胺单体反应得到两种系列的氟化聚芳酰胺,在1 MHz时测得的两种系列的聚芳酰胺的介电常数在3.23~3.41范围内. ZHOU等[8]合成了一种新型的含有4-三氟甲基三苯胺结构的芳香族二酸单体,采用磷酰化法与不同的芳香族二胺单体反应得到介电常数为3.35~3.72(100 Hz)的一系列氟化聚芳酰胺,并且当芳香族二胺单体中也含有三氟甲基……

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