奧趋光电技术(杭州)有限公司(以下简称“奥趋光电”)日前发布了重磅产品——2英寸(φ50.8 mm)高质量氮化铝单晶衬底，并正式启动小批量量产。随着2英寸氮化铝单晶衬底的小批量量产，高功率深紫外LED、紫外LD、紫外探测器、紫外预警及高功率、高频、高温电子器件等领域迎来了其最佳衬底材料及解决方案。

氮化铝(AlN)是新一代超宽禁带半导体高端材料，具有其他宽禁带半导体材料如SiC、GaN等所无法比拟的优势，如超大禁带宽度(高达6.2 eV)、高热导率、高击穿场强、高热稳定性，以及良好的深紫外透过率等卓越的性能优势。但由于其生长条件苛刻，制备难度远大于SiC、GaN等。全球研发团队长期以来一直难以在AlN晶圆尺寸方面取得突破，此前全球仅两家美国企业可小批量生产2英寸AlN单晶衬底，产量极其有限，且由于该材料的特性、制备难度和在国防军工等领域的关键用途，任意尺寸的AlN单晶衬底均长期对华禁运。

奥趋光电是全球领先的AlN/AlScN材料制造商及综合解决方案服务商，长期专注于超宽禁带半导体AlN晶圆衬底材料及其核心装备——全自动氮化铝PVT气相沉积炉的研发与制造，以及大尺寸高质量满足多领域工业化应用需要的AlN晶圆衬底产品的批量制备，不断推进大尺寸AlN单晶衬底产品制备工艺的优化、固化和全自动化制造设备的迭代。小尺寸的AlN单晶虽已在器件研发中开始逐步使用，但有限的晶圆尺寸和产量无法满足相关领域大规模产线制造的需要，成为制约AlN单晶衬底规模化应用的主要瓶颈之一。……