英特尔公司CEO帕特·基辛格在以“英特尔加速创新”为主题的全球线上发布会中表示：“基于英特尔在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到 2025 年制程性能再度领先业界。英特尔正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。”

英特尔公司2021 年 7 月 27日在美国加州圣克拉拉召开了“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”。对于蓝色巨人而言，这场发布会的意义非凡，会议涉及的信息量巨大。它公布了最新的制程工艺和封装技术创新路线图，涉及了2025年以后的埃米时代产品路线;并展示了两项突破性制程技术——近十多年来推出的首个全新晶体管架构RibbonFET，以及业界首个背面电能传输网络PowerVia;另外公布了两项3D 封装上的技术Foveros Omni 和 FoverosDirect;甚至英特尔在代工服务（IFS）上也取得了阶段性的结果，首次公布合作客户名单中拥有高通、亚马逊AWS等一大批重量级的名字。

新线路+新工艺，英特尔在埃米时代大门前将加速？

在英特尔公布的最新制程技术路线图上，我们可以看到每个节点的创新技术以及新节点命名的详细信息，特别是在10nm之后，英特尔忽略了进程的命名，而采用了英特尔创造的命名方式：

Intel 7（此前称之为10纳米Enhanced SuperFin）

通过FinFET晶体管优化，每瓦性能[]比英特尔10纳米SuperFin提升约10%- 15%，优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。……