张平

今年3月份，英特尔提出了全新的代工计划—IDM 2.0模式，计划彻底开放自家制造技术为所有硬件厂商进行代工制造。仅仅过去了4个月，英特尔又召开了一次被称为“加速”的线上发布会，公布了未来数年英特尔在半导体制造方面的工艺路线图、技术革新，还拿出一整套包括工艺节点、全新技术和产业合作方向的文件，并由英特尔CEO帕特·基辛格上台亲自进行讲解。英特尔这套包含了全新技术、全新命名以及代工业务的产业计划书，究竟有哪些令人感兴趣的内容和重要技术？它又会对英特尔未来的发展带来哪些影响呢？

重新定义制造工艺节点名称

在发布会上，英特尔先是介绍了有关IDM 2.0的代工体系和进展情况。英特尔计划为IDM 2.0的亚利桑那州项目投资20 0亿美元，为新墨西哥州的项目投资35亿美元，这两个项目主要是两个全新的制造中心。接下来英特尔话锋一转，提到了有关半导体工艺制程命名的问题。在工藝制程上，英特尔和行业内包括三星、台积电在内的厂商打过数次口水仗了。其核心原因是，台积电、三星等厂商早都将工艺名称和工艺技术彻底割裂开来。比如同为14nm / 16nm工艺，英特尔宣称的晶体管密度最高可以达到45. 51MT/ mm²，相比之下，台积电和三星的这个数值分别只有36.06和34.68，相比英特尔差了大约30%。更夸张的对比发生在了10nm时代，英特尔1 0nm工艺的密度最高可达106 .1MT/ mm²，台积电仅为5 5 .10 M T/ mm²，三星仅为54. 55MT/ mm²。随后的7nm工艺，英特尔、三星、台积电三家厂商的数据分别是212.48、100.59、101. 85。再向后的5nm时代，英特尔没有数据，但是三星和台积电的密度数据分别是133.56、185.46。……