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超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的研究

2021-10-23谢冰芳

电子测试 2021年18期
关键词:化学发展

谢冰芳

(厦门工学院,福建厦门,361000)

0 引言

随着半导体技术和计算机网络技术的不断发展,对芯片等半导体器件的发展也越来越重视。而集成电路制造过程中,规模越来越小已经成为了发展趋势,因此,高度集成化技术已经成为了影响集成电路制造和发展的重要因素,而平坦化技术又是影响高度集成化的重要因素,只有确保在多层布线立体结构中,每层都相对平坦,才符合蚀刻、多层布线的要求,因此研究硅片平坦化技术的发展便具有十分重要的意义。

1 平坦化技术原理介绍及其重要性

计算机网络技术、通讯技术和其他半导体行业近年来发展迅速,对集成电路的要求也日益提高,集成电路为满足需求,其规格尺寸也在不断减小,目前超大规模集成电路尺寸已经由原先的0.25 微米发展到0.13 微米,硅片的尺寸也已经由200 毫米发展到300 毫米,立体化布线结构也在不断发展,目前已经发展到十层以上,而集成度也早已达到DRAM 64 G,而制作金属也已经由铜来替换传统的铝。在集成电路不断追求高集成度的同时,对立体布线结构的要求也在逐渐增加,硅片平坦化技术的发展影响着整个半导体行业的发展。随着光刻机焦距深度逐渐变小,芯片制作过程中任何细小的差异都将会使集成电路整体布线出现变形、扭曲、错位,从而导致连线错误等严重事故。因此,为了满足精确的蚀刻要求,在立体化的多层布线结构中,一定要确保硅片的平坦化,要……

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