乔文霞 黄 伟

（中国船舶重工集团公司第七二二研究所 武汉 430205）

1 引言

采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS（Vertical Double-diffused MOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET），这是直到目前仍然是绝对主流的功率MOSFET品种。近几年使用的VDMOS型号越来越多，特别是在重大军工项目中都有广泛的应用，全面客观地测试其性能特性变得尤为迫切。但国内由于测试设备的限制，目前关于VDMOS动态参数测试领域仍旧处于起步阶段。

2 VDMOS雪崩耐量参数测试

2.1 VDMOS特殊参数

一款VDMOS器件其动态参数则是衡量该器件工作在高频或开关状态下的重要指标，是器件研发阶段和使用阶段重点关注的特殊参数。

由于VDMOS结构特性，大电流工作特性导致寄生电容、寄生电阻、体二极管等对器件性能的影响尤为突出。雪崩耐量则是反映器件在感性负载特性下的耐受能量冲击特性；结电容反映了器件在工作状态的充放电过程和特性；开关时间反映器件的高频工作特性，对器件的开关功耗和频率特性有直接关系；反向恢复时间是贮存在器件内的大量少子在被抽取过程，发射结内建电势降低的过程，这些参数优劣对器件的性能有着至关重要的影响。

本文重点分享了在VDMOS雪崩耐量测试过程中的技术难点和解决思路。表1是某VDMOS器件动态参数表。

表1 某VDMOS动态参数表

2.2 雪崩耐量的测试

在待测VDMOS器件的漏极和电源的正极之间加特定值的电感，当VDMOS导通时电感充电，当VDMOS关断时电感放电。因为每一个VDMOS器件都有一个额定的反向最大电压，超过这个额定的最大反向电压时，器件会发热甚至损毁。……