张 永，王贵梅，孟小玮，邵海娇，张建军

(晶澳太阳能有限公司，邢台 055550)

0 引言

氮化硅薄膜由于具有致密性强、耐腐蚀等优良特性，在光伏行业中常被用作PERC太阳电池的钝化减反射薄膜[1]。管式PECVD设备沉积的氮化硅薄膜具有良好的致密性、体钝化效果，并且其在长波响应方面比板式PECVD设备沉积的氮化硅薄膜优势明显；但是受镀膜方式的影响，管式PECVD设备的镀膜均匀性略差于板式PECVD设备的[1]。目前，为提升产业化管式PECVD设备的产能，炉管的内径不断增大，镀膜效果呈现出从石墨舟外舟片到内舟片膜厚逐渐降低的现象。因此，为了改善管式PECVD设备镀膜的均匀性，本文研究了管式PECVD设备的温控系统调节中温区的温度设置、加热时间设置、整体温度设置，以及舟片间距设置分别对管式PECVD设备镀膜均匀性的影响，并重点针对不同镀膜均匀性偏差的调试方式进行了研究。

1 实验方法

1.1 实验仪器

本实验采用由深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司生产的PD-380A型管式PECVD设备，对尺寸为156 mm×156 mm的多晶硅片进行镀膜；石墨舟采用深圳市石金科技股份有限公司生产的载硅片数量为216片(19个舟片)的石墨舟；测试氮化硅薄膜的膜厚和折射率采用北京量拓科技有限公司生产的EMPro-PV椭偏仪。管式PECVD设备镀膜的结构示意图如图1所示。设备的温控系统调节中的5个温区分别为：温区1-炉口(LZ)、温区2-炉中(LCZ)、温区3-炉中(CZ)、温区4-炉中(GCZ)、温区5-炉尾(GZ)。

1.2 实验设计

采用同一批次的硅片进行实验，经过相同的机台处理工序，采用同一台炉管、同一个石墨舟进行镀膜；……