掩模板法制备单根In2O3 纳米带器件
2021-08-23杜国芳马殿旭
科学技术创新 2021年23期
艾 鹏 蔡 彦 杜国芳 马殿旭 李 旋 李 波
(昭通学院物理与信息工程学院,云南 昭通 657000)
1 概述
目前,科学技术日益进步,器件不断朝着高集成性、低功耗以及小尺寸等方向发展,微米技术已经不能满足需求。随着对器件高集成度的需求,需要尽量减少器件的特征尺寸。纳米技术的出现以及纳米材料所表现出的优异性质使得其发展迅速,也被应用到了各个领域。纳米材料的小尺寸效应[1]使得材料出现新的特性;表面效应[2]使粒子表面原子变得极其活跃;量子尺寸效应[3]使纳米微粒表现出与宏观物体截然不同的反常特性,因此,在催化、电磁、以及生物活性等方面呈现出较好的物理化学特性,应用前景广阔[4]。其在纳米光电子器件、纳米电极材料以及储氢能源材料[5]等应用领域已逐渐成为研究热点。
从首次研制出碳纤维[6]到发现碳纳米管[7],不断发展了对一维纳米材料的研究。近年来,各种制备方法合成的一维纳米材料陆续出现,如纳米线、半导体量子线[8]、纳米带和纳米线阵列[9]等,随着一维纳米材料家族成员日益增多,科学家对这些新型材料的实验研究,将为进一步研究纳米结构和准一维纳米材料的性能,建立一维纳米材料的新理论,同时,使得纳米结构器件的应用不断发展。
2 实验部分
2.1 试剂与仪器
氧化铟(纳米In2O3,纯度≥99.99%);碳粉;银线、银浆。
SGL-1700 三温区真空管式炉;掩模板,Keithley 4200 半导体测试系统。
2.2 In2O3 纳米带的制备
In2O3纳米带是在三温区真空管式炉中采用碳热还原法制备的。……
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