郑世棋 李 灏 翟玉卫 刘 岩 韩 伟 吴爱华

(中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄 050051)

1 引 言

半导体器件结温是表征器件散热性能的关键参数，直接影响器件可靠性及寿命，随着器件向着小型化、高集成度、高功率水平不断发展，结温准确测量的重要性不断凸显。在多种结温测量方法中，电学法以非破坏性、高灵敏度、操作简便等突出优点，在封装器件结温测试领域得到广泛应用。

目前电学结温测试法主要存在开关式及非开关式，传统方法为开关式，以微小电流作为测量电流，在对器件施加工作电流至结温稳定后，断开工作电流并切换至测量电流进行结温测试。该切换过程不可避免会带来测温误差，据Kuball等报道，1μs的时间延迟就可能导致温度变化超过100℃，严重影响结温测量结果的准确性。

鉴于开关式方法所存在的问题，基于脉冲法的非开关式结温测量方法逐渐受到广泛关注，且由于其实时性、在线性的优点，成为国内外器件测温领域的重要研究方向。美国NIST实验室ZongYuqin利用脉冲法对LED结温进行了测量，温怀疆等分析了脉冲大电流方法中脉宽对LED结温测量影响，朱阳军等人利用脉冲大电流方法对晶体管结温进行了测试。这些研究工作对脉冲大电流方法的发展做出了有益探索，但均是在忽略串联电阻存在的条件下开展。郭春生等人针对器件串联电阻对校温曲线的影响进行了分析，但未涉及串联电阻对测温过程的影响。……