张献武，王增双，焦世民，表宏章

（中国电子科技集团公司 第十三研究所，河北 石家庄 050051）

0 引言

介质振荡器（DRO）在微波系统中用来产生载波信号或本振信号，是决定微波射频系统性能的重要部分，在卫星通信、导航等微波方向中均得到了广泛应用。推推介质振荡器不仅可以成倍提高振荡器的输出频率还能提高振荡器的相位噪声和带负载能力，所以相对于传统的介质振荡器具有明显优势[1-2]。

国内外文章都有相关推推介质振荡器的报道，但是目前大多数推推介质振荡器，都是采用两个独立的晶体管，由于两路分立器件一致性不能保证，导致基波抑制度差、调试难度大和相位噪声差等问题[3]。

本文基于GaAs HBT工艺研发了一款推推DRO负阻芯片，很好的解决了电路一致性差的问题，并在此基础上设计了一种新型微带耦合形式的推推介质振荡器。

1 推推介质振荡器原理

推推介质振荡器能够有效的提高固态微波晶体管振荡器的使用频率上限，同时因为推推介质振荡器使用的是基波谐振器，而基波谐振器的高Q特性要比谐波谐振器更容易实现，所以理论上推推式振荡器比直接输出频率为二次谐波的振荡器具有更好的相位噪声。

推推介质振荡器一般包含三部分：共用介质谐振器、两路谐振负阻电路、耦合电路。推推振荡器的基本原理图如图1所示。

图1 推推振荡器的基本原理图

在共用介质谐振器的作用下，两路子谐振负阻电路振荡在相同的频率，相位差180°，而二次谐波相位相同。……