球形 Si/carbon gel@void@C复合材料的制备及电化学性能
2021-07-13刘俊昊于坤祥陆继军
矿冶 2021年3期
刘俊昊 于坤祥 陆继军,3 王 志,3
(1.中国科学院过程工程研究所,湿法冶金清洁生产技术国家工程实验室,中科院绿色过程与工程重点实验室,北京 100190;2.中国科学院绿色过程制造创新研究院,北京 100190;3.中国科学院大学 化学工程学院,北京 100049)
随着现代社会的不断进步,对3C电子产品、电动汽车与大容量储能设备能量密度的要求越来越高,亟需开发新型高容量电极材料[1-4]。硅(Si)因具备高的理论比容量、合适的嵌脱锂平台及丰富的储量等优点,是新一代高容量锂电池负极的候选材料[5,6]。然而,Si材料作为负极材料存在的问题是其本征电导率较低,且在脱嵌锂过程中会发生巨大体积的膨胀(>300%),限制了其实际应用。解决这些问题最有效的手段是制备Si/C纳米结构,一方面外层碳结构对改善电子和离子的迁移速率有明显提升作用,另一方面对嵌脱锂反应时Si的体积巨大膨胀有缓冲作用。
核-壳结构[7]和石榴状结构[8]虽可在一定程度上缓冲Si的体积膨胀,改善电子与Li+的电导率,但核-壳接触为点接触,不利于电子与 Li+的快速转移,进而影响材料的倍率性能。XIE等[9]在核-壳结构内部引入Si@C,制备了实心核-壳复合结构,可有效避免核-壳间的切断。此种实心型结构可为颗粒整体提供更有效的电子传输。此外,CUI等[10]制备了一种自支撑Si/C复合薄膜结构,具有优异的导电性和机械稳定性,可缓解充放电过程中的体积变化,内部炭结构可保证复合结构整体良好的导电和连接性。基于此,本文以碳为包覆层合成了球状 Si/carbon gel@void@C复合结构,颗粒内部导电性良好的碳可提升颗粒电接触,并为内部Si核与外层炭壳提供良好的电子传输。此……
登录APP查看全文
