一种具有两层堆叠的LDMOS结构
2021-07-05党天宝姜焱彬
桂林电子科技大学学报 2021年2期
关键词:结构
党天宝, 李 琦, 黄 洪, 姜焱彬, 王 磊
(桂林电子科技大学 信息与通信学院,广西 桂林 541004)
电能逐渐成为人类生活中最主要和应用最广泛的能源之一[1],但是电能不能被直接利用,通常需要经过电力电子系统转换后才能供给具体的电力设备使用,不过电能在转换的过程中浪费较为严重,因此提高电能的转换效率已刻不容缓。功率半导体器件由于具有高效率转换电能的特点而被广泛应用,其应用范围逐渐从工业领域和4C(communication、consumer、car、computer)领域扩展到新能源、交通、汽车电子及家用电器等领域[2-6]。近年来,由于5G通讯技术的逐渐推广[7],功率半导体器件的需求量也随之扩大。然而中国功率半导体器件行业在全球功率半导体器件市场中的份额占有量却很低,同时还备受国外的技术掣肘,因而国家在十四五期间将大力发展功率半导体行业[8],加强功率半导体行业在全球的竞争力,所以功率半导体器件行业在中国将会越发地充满活力,功率半导体器件的应用范围也将越来越广。
MOSFET功率半导体器件在半导体器件领域中有着相当重要的位置,自其问世以来,应用范围不断扩大,无论是在生活领域还是军事航空领域,MOSFET功率半导体器件都发挥着至关重要的作用。在MOSFET中的LDMOS因具有简便的驱动方式和较快的开关速度等优势而被广泛应用在电机驱动器、开关电源和低压集成电路等领域中[9-11]。此外,LDMOS的3个端口(源、漏以及栅极)均处于LDMOS的最上面,容易通过导线将所有端口进行连接,所以具有易集成和制备方式简单等优点,因而它成为了功率开关的首选器件[12-13]。……
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