鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 苏海东 王成龙 姚 磊 闫 雷 李 峰 李 凯 高 云

低温多晶硅工艺作为薄膜晶体管显示器的主流工艺被各大面板厂商所采用。但是复杂的工艺制程导致基板形变较大，这就导致出现相应的光学类的不良，如串色，漏光，透过率低等。为了实现阵列基板和彩膜基板的高精度对位，本文研究了影响阵列基板总节距(Total Pitch，TP)均一性的工艺因素。首先，通过跟踪测试LTPS-TFT工艺每步TP结果，将TP变化量大的工艺分为3类，即：Mask工艺，镀膜工艺与高温工艺。其次深入分析说明这些工艺影响TP的原因和管控TP的常规做法。最后针对影响TP的工艺介绍了精益化的管理方法。结果表明，生产中采用TP精益化管理方法，将薄膜晶体管阵列工艺的TP Range由2ppm以上缩小到1.1ppm以下，对位精度工程能力由0.94提升到1.68.这一水平满足了无串色，高透过率的要求。该精益化管理方法可以推广应用于其他LTPS生产线中。

TFT-LCD因具备高画质，质量轻，价格低廉等优异的性能，作为显示器件的主力军广泛应用于智能手机，平板显示，穿戴产品，投影显示，车载物联等各类消费电子产品中。随着应用领域不断地拓展，人们对于显示画面的的品质也提出了更高的要求。而LTPS TFT产品相较于a-Si TFT产品具有电子迁移率高，集成度高和边框窄，分辨率高，显示画面细腻，能耗低，响应速度快，因而倍受消费者的青睐。同时，LTPS制程工艺复杂，需要多道镀膜工艺和高温工艺制程，这就使得较a-Si工艺发生更大的基板形变。……