张平

在ISSCC 2021 （IEEE International Solid-State CircuitsConference，国际固态电路会议）上，大量厂商公布了旗下产品的最新消息，本刊在之前的文章中也已经做了一些介绍。在存储领域，2021年NAND厂商将会继续在TLC和QLC产品上发力，至于他们瞄准的方向和新产品的技术应用情况，这篇来自ISSCC的报道可能会为你带来一些新消息。

ISSCC 2021上，全球六家主要NAND厂商中有四家出席了会议并带来了新技术的展示，包括三星、SK海力士、铠侠（东芝）以及英特尔。缺席的是美光和长江存储，他们可能由于产品周期和技术路线原因没有在本次会议上进行展示。

三星在ISSCC上公布了他们即将推出的TLC NAND产品，相比2019年的产品，新的TLC颗粒在最大密度上同样为512Gb，但是在密度、IO速度、顺序读取速度、延迟、位面数量方面都有显著差异，并且新产品采用了CuA设计。下面我们具体来看—下。

新的TLC颗粒在密度方面提升到了8.5G b/m m2，IO吞吐速度达到了2.OG b/s，相比之前的5G b/m m2和1.2G b/s有显著提升。在顺序读取速度方面，新的TLC颗粒高达184M Bls，不但远超之前产品的82M B/s，还超过了绝大多数竞争对手，同时延迟也降至40us。出现性能大幅度提升的原因可能是三星在新品中采用74个位面（Planes）的设计而不是之前的2个。多的位面可以带来更多的并行通道和并行读写，自然能够显著提升顺序读写速度。

从参数来看，三星新的TLC颗粒除了存储密度外，其余部分的表现都很好。但是恰巧存储密度是一个关键的因素。三星新品的存储密度提升达70%，但是依1日显著落后于竞争对手大约10G Mrir12的规格。在此之前，三星在存储密度上的落后并没有太大问题，因为这是在没有使用串联堆叠（ string stacking）技术的前提下，就实现了128层NAND的生产。……