魏文燕

(武汉东湖学院，湖北 武汉 430212)

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件。由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。在负载电压为零或零附近的瞬间，门极G和T1极之间的微小信号电流触发双向可控硅，负载电流能沿任一方向在T1极和T2极间流动。由于双向可控硅用于交流电路，在负载电流每个半周的终点断开，而断开需满足负载电流降到维持电流IH 之下并历经必要维持时间这一条件，让所有的载流子撤出，才能回复至截止状态。

目前，双向可控硅触发电路可采用的拓扑结构有如下两个方案。方案1：将MCU控制电路地(VSS)与负载参考点连接，即正电压拓扑结构。方案2：将MCU控制电路电源电压(VDD)与负载参考点连接，即负电压拓扑结构。

图1 正电压拓扑结构

如图1所示，MCU控制电路地(VSS)与负载参考点连接，MCU控制电路电源(VDD)实际高于负载参考点。如果MCU控制电路电源为5V，则VDD比负载参考点高5V。由于大多数电路都采用正电压，如外接已经固定的LED灯，LED灯的正极连接控制板，那么控制板则需输出正电压，即处在正电源拓扑结构中；同时，控制板又有可控硅触发电路。此类型电路适合采用本方案。所以通常都采用方案一的正电压拓扑结构。MCU输出正电压脉冲，门极正电流触发，双向可控硅导通。……