杨 洁， 皮明雨， 张丁可， 唐孝生， 杜 鹃

(1． 重庆师范大学 物理与电子工程学院， 重庆 401331； 2． 重庆邮电大学 光电工程学院， 重庆 400065；3． 中国科学院上海光学精密机械研究所 强场激光物理国家重点实验室， 上海 201800；4． 中国科学院大学 杭州高等研究院， 浙江 杭州 310024)

1 引 言

光电探测器可以将入射光(紫外光、可见光或红外线等)转换为电信号，这对各种工业和科学应用至关重要，包括成像、光通信、环境监测和生物传感[1-4]。半导体材料是光电探测器的重要组成部分，到目前为止，诸多半导体材料已经被用于光电探测器，包括硅、碳纳米管、Ⅲ-Ⅴ化合物、量子点，并在改善光探测性能和器件结构设计方面取得了令人瞩目的进展[5-10]。然而，基于这些材料的光电探测器通常需要昂贵的、严格的工艺和操作条件，因而阻碍了其商业化应用。因此，寻找成本更加低廉、工艺更加简单的候选材料，进一步提高光电探测器的性能，降低成本，简化制作过程，具有重要意义。

图1 三维钙钛矿晶体结构示意图

三维金属卤化物钙钛矿材料独特的晶体结构使其拥有众多奇特的化学和物理性质，并且基于三维钙钛矿材料的光电器件表现出优异的性能和低廉的制造成本[26-29]。然而，三维钙钛矿材料在高温、高湿度以及光照下容易受到破坏[30-34]，所以长期稳定性差以及铅毒性是阻碍其走向实际应用的两个主要因素。为了克服这些问题，研究人员开发出大量新型低维钙钛矿材料，针对不同的器件配置将其加入活性层中，得到与三维钙钛矿相媲美的性能并表现出显著增强的温湿稳定性[35-37]。……