姚熹，闫联生，李崇俊，王坤杰，王玲玲

（西安航天复合材料研究所，西安 710025）

0 前言

C/C-SiC陶瓷基复合材料是近年来研究较为广泛的一种新型高温热结构材料，综合了碳纤维优越的力学性能和陶瓷基体良好的热/化学稳定性，具有低密度、低热膨胀系数、高比强度、高韧性以及优异的耐烧蚀和抗氧化性能，可广泛应用于航空航天（喷管、鼻锥、发动机燃烧室等）、先进制动系统、空间光学系统、热防护系统等领域[1-5]。

目前，制备C/C-SiC陶瓷基复合材料的单一工艺方法有：化学气相渗透法（CVI法）、先驱体浸渍裂解法（PIP法）、反应熔渗法（LSI法/RMI法）、温差原位反应法、热压烧结法、溶胶凝胶法等[6-12]。其中，CVI法、PIP法和LSI法是最常用并且已投入工业化生产的三种方法，这三种方法各自均具有优点，也都存在着局限性和不足之处，表1所示为CVI法、PIP法和LSI法制备C/C-SiC陶瓷基复合材料的优缺点比较[13-15]。为了充分利用每种工艺的长处，弥补其不足之处，国内外研究人员普遍采用将几种工艺相结合（即组合工艺）的方式来制备碳纤维增强陶瓷基复合材料，本文将对C/C-SiC陶瓷基复合材料的组合工艺制备方法以及基体改性研究做一概述。

表1 不同工艺制备C/C-SiC复合材料的优缺点Table 1 Advantages and disadvantages of C/C-SiC composites prepared by different methods

1 C/C-SiC陶瓷基复合材料的组合工艺制备方法

1.1 “CVI+PIP”组合工艺

采用CVI法制备C/C-SiC复合材料，先制备出碳纤维预制体作为复合材料的增强相，再采用C-SiC共沉积或C-SiC分步沉积的方式得到C/C-SiC复合材料，其中甲烷（CH4）或丙烯（C3H6）常被用作C基体的碳源，而三氯甲基硅烷（MTS）或四氯硅烷（SiCl4）常被用作SiC基体的气源。……