赵 博, 赵凤岐

(内蒙古师范大学 物理与电子信息学院,内蒙古 呼和浩特 010022)

氮化物半导体材料自被发现以来,无论是在科学研究领域还是在经济民生领域都具有重要价值。随着分子束外延、金属气相沉积等技术的发展,品质良好的低维半导体材料已经制备出来[1-4]。氮化物低维量子限制系统因具有奇特的物理性质[5-6]与光电特性[7-8],而受到广泛关注。其中Lee等[9-10]运用介电连续模型研究了纤锌矿氮化物的光学模,通过理论推导得出体材料和量子阱材料中电子与长波光学声子相互作用哈密顿量。Shi等[11-12]在介电连续模型和Loudon单轴晶体模型的框架下,精确求解了纤锌矿准二维多层异质结中界面光学声子模的运动方程,并推导了纤锌矿GaN/AlN量子阱中半空间光学声子模的正确解。

随着科学技术的发展,量子阱的研究引入了诸如磁场、电场、压力等一些外界因素,拓宽了量子阱的研究领域[13]。研究者就超晶格与量子阱中流体静压力对杂质态结合能的影响研究发现,结合能随压力的增大而增大[14-15]。You等[16]研究了不同流体静压力下AlGaAs/GaAs半抛物量子阱的光学性质,得到的理论结果表明线性和三阶非线性光吸收系数和折射率对流体静压力非常敏感。Phillips等[17]测量了1.3 μm半导体量子阱中流体静压力对阈值电流和激光光子能量的影响,发现阈值电流随着压力的增加而减小。Ha等[18]采用变分方法计算了流体静压力下GaN/AlGaN量子阱中屏蔽激子的结合能。还有学者研究了纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN量子阱中流体静压力对极化子能量和极化子效应的影响[19-20]。……