彭 燕,陈秀芳,谢雪健,徐现刚,胡小波,杨祥龙,于国建，王垚浩

(1.山东大学，晶体材料国家重点实验室，新一代半导体材料研究院，济南 250100；2.广州南砂晶圆半导体技术有限公司，广州 511458)

0 引 言

众所周知，半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代半导体材料以硅为代表，主要应用在以集成电路(IC)为核心的信息电子领域；第二代半导体材料以砷化镓等化合物半导体为代表，主要应用在光电子领域、通信领域；第三代半导体材料的兴起，则是以氮化镓(GaN)薄膜材料的P型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志。随着生长技术的发展，第三代半导体材料和应用也越来越广泛。SiC材料就是典型的代表之一。

SiC具有一系列优良的物理化学特性，除了禁带宽度，还具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，随着单晶材料的技术突破，这些性质使得SiC成为研究和产业的热点，有力推动了SiC单晶材料的进展。

SiC单晶作为晶体材料国家重点实验室最近二十年的重要研究内容之一，在蒋民华院士的主持下，从零起步，高起点布局，采取跨越式发展思路，攻克了一系列关键技术难关，培养了大批人才，为我国SiC单晶产业及其在核心领域的应用做出了卓越贡献。本文以SiC单晶衬底为主要研究对象，首先简要介绍其基本性质、研发历史和制备方法，并结合晶体材料国家重点实验室的半绝缘SiC衬底相关研究工作概述研究、产业现状和面临的挑战，最后对国产SiC单晶衬底的发展进行了展望。……