石保军，王申

（山西大学 物理电子工程学院，山西 太原 030006）

0 引言

近年来，低维结构的过渡金属双硫化物（TMDs）由于独特的光、电性质[1-6]引起了人们的广泛关注。其中由于少层MoS2具有室温稳定性和易于机械剥离等优点，人们针对少层MoS2开展了许多研究工作[7-11]。2015 年，Bastian Miller等人[12]通过改变激发光功率的方法实现对单层和多层MoS2的电荷载流子浓度接近两个数量级的调控。2019年，Molas等[13]使用超强酸处理单层 MoS2来改变它的载流子浓度，达到改变样品光学性质的目的。同年，Lien等[14]通过调控门电压实现了对单层（1L）MoS2载流子浓度的调控，提高了它的光致发光效率。当前通过电子束刻蚀后蒸镀金电极是制备门电极的主要方式，电子束刻蚀精确可控，能够实现微米尺度上的器件制备，金电极由于其稳定的化学性质和较低的化学势也能够与TMDs材料形成较好电接触。但这种方法制备工艺复杂，耗时较长，成品率一般，并对样品具有一定的损伤。为了避免光刻蒸镀法的不足，Tang等[15]在大面积排列的二氯化五苯晶体微带上利用探针机械转移的方法制备电极，成功提高了载流子的迁移率。2017年，Zhang等[16]成功地使用机械转移法制备了横向和竖直两种基于二维材料的异质结。2018年，Wang等[17]通过探针机械转移金电极的方法制备了单层MoS2场效应晶体管器件，并通过低温氧化处理提升了该器件的性能。这些工作证明了通过机械转移的方法能够实现在微米尺度的二维材料上成功制备电极，但是利用探针机械转移金电极依然对实验设备有较高的要求。……