宿星亮，张耕

（山西大学 物理电子工程学院，山西 太原 030006）

0 引言

量子点是能使电子在三维受限的低维半导体材料，具有高亮度、窄线宽和短寿命等独特的物理性质，在量子通讯、探测和能源等领域有着广泛的应用前景。其中，InAs/GaAs量子点作为优良的直接带隙量子点材料，始终受到学者重点关注，在材料制备、结构表征、光学性质研究及应用等领域开展了一系列研究[1-5]。

目前，高品质的InAs/GaAs量子点材料已经可以通过分子束外延（MBE）的方法获得，从而对其物理特性的研究引起了更多的关注。众多学者研究了外场对量子点光谱的影响，Itskevich、马宝珊等人证明了静压力会导致量子点的弹性系数的改变和荧光发光光谱强度的降低[6-7]。汤乃云等人通过理论计算获得了InAs/GaAs量子点禁带宽度随静水压变化的规律[8]。近年来，随着压电电子学的提出，形变对半导体材料性质的影响引起了越来越多的关注[9]。III－V族化合物内部不仅存在由于自身结构原因而产生的自发极化，并且对材料施加应变后还会产生一个压电极化，两者的总极化会在材料内部产生一个压电势，使得半导体材料性质发生明显的改变。在量子点的实际应用中，半导体材料器件的生产和应用不可避免地会受到来自内部或外部的应力使材料发生形变，如在焊接、拼装、器件集成时受到的外部应力等。所以，研究量子点材料在受到外场，尤其是受到应力而产生形变时对InAs/GaAs量子点性质的影响对其实际应用有着重要的指导意义。……