温嘉敏，闫成员，孙振华

深圳大学物理与光电工程学院，广东深圳 518060

数字时代和网络技术的发展使数据存储成为日常生活中必不可少的重要环节，存储器作为信息存储的媒介更是存储技术中的核心部分．根据存储器断电后的数据保存情况，存储器可以分为易失性存储器和非易失性存储器[1-2]，其中，非易失性存储由于具备断电后数据不丢失的特点，已成为电子产品中必不可缺的重要组成成分[3-5]．KAHNG等[6]首次提出使用浮栅晶体管制备非易失性存储器的想法．基于浮栅晶体管结构的非易失性存储器由于具备结构紧凑、性能稳定、易于集成及与金属氧化物半导体工艺相兼容等突出优点，逐渐发展成为存储市场的主流产品[7-8]．一般的浮栅晶体管存储器是在普通晶体管的栅绝缘层上方插入悬浮栅层和较薄的绝缘隧穿层形成，其中，悬浮栅负责电荷的存储；绝缘隧穿层负责电荷的保持[5, 9-12]．存储器工作时，通过栅极脉冲电压使沟道中的载流子进入或拉出悬浮栅，从而实现数据的写入或擦除[13]．大多数基于栅脉冲电压写入的浮栅存储器都只对正电压或负电压有效，操作方式较为单一[14-19]．此外，这种基于电压的编程方式在一定程度上会对器件造成损害，进而影响器件的可靠性和稳定性．

本研究以Ⅰ型核壳硒化锌/硫化锌(ZnSe@ZnS)量子点 (quantum dots, QDs)作为电荷捕获层和隧穿中心，以石墨烯作为载流子传导层，制备无隧穿层结构的浮栅晶体管非易失性存储……