顾 怡，王静荣, b，徐海萍, b，杨丹丹, b

(上海第二业大学 a. 环境与材料工程学院；b. 上海先进热功能材料工程技术中心，上海 201209)

随着电子信息技术和纳米科技的飞速发展，嵌入式电容器已被广泛应用于各种微电子系统。高介电常数的电介质材料是电容器中用来减少尺寸和寄生电感所必不可少的材料。常见的高介电材料是无机铁电陶瓷，尽管介电常数可高达2 000，但存在脆性大、加工温度高等缺点。因此，制备聚合物基高介电常数的电介质复合材料成为影响电子器件微型化的一个重要研究方向。

向聚合物基体中添加铁电陶瓷粉末是最早获得聚合物基高介电常数的电介质复合材料的一种主要方法[1-2]，但这种方法提高介电常数的程度有限，而且陶瓷微粉的含量较高会使复合材料丧失柔韧性，最终难以满足器件各种性能的要求[3]。获得聚合物基高介电常数复合材料的另一条途径是利用导电填料的渗流效应来实现，即将导电填料加入聚合物基体中，在填料含量即将到达渗流阈值时，大大提高复合材料的介电常数[4-6]。但文献[7]研究发现，利用导电填料渗流效应来提高复合材料介电性能时，大量的漏导电流会使得介电损耗提高幅度偏大，难以满足应用需求。因此，综合陶瓷材料和导电填料的优点制备三相复合材料具有重要意义。如Dang等[8]利用传统的陶瓷材料(BaTiO3)和导电金属(Ni)获得了介电性能优良的聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride， PVDF)基复合材料。利用禁带宽度高、电绝缘性优良的氮化硼(boron nitride， BN)陶瓷材料[9-11]以及导电性能好、渗流阈值低的碳纳米管一维碳结构材料[12-14]，以此来制备聚合物基三相复合材料的研究报道较少。……