(湘潭大学电子与信息学院,湖南湘潭 411105)

忆阻器作为一种具有记忆效应的新型基本电路元件,自从蔡少棠[1]提出以来就引起了学者的广泛关注。尤其在2008 年惠普实验室首次报道了忆阻器的可实现性后[2],极大地唤起了科研人员对忆阻器开展全方位研究的兴趣。由于忆阻器自身的非线性特性使其更加容易产生混沌电路,从而在保密通信、信息加密等领域也有广泛的应用[3-8]。近些年来,基于忆阻混沌电路的设计与分析已成为相关领域的研究热点。

开关DC-DC 变换器作为开关电源的核心组成部分存在着丰富的非线性动力学现象,例如,Hopf 分岔[9]、边界碰撞分岔[10]、双稳定共存现象[11]等,已在许多文献中被广泛报道。其中负载类型是影响DC-DC变换器的非线性动力学行为的一个重要因素。文献[12]以常规电阻作为负载,研究了电流型Cuk 变换器的分岔与混沌现象以及变换器稳定运行的参数域表达式。文献[13]和[14]在具有恒流负载的变换器中发现了鞍节点分岔和快慢尺度不稳定性等现象。Zhang等[15]开创性地将忆阻器作为单级升压变换器的负载通过数值仿真和电路仿真研究其动力学行为,并通过直流分析阐述了该升压变换器的输出电压主要由忆阻器的内部参数决定,但其只关注了开关周期对该忆阻变换器的稳定性和动力学行为的影响,而忽略了其他参数的影响。随后,文献[16]研究了忆阻负载对峰值电流型Buck-Boost 变换器的动力学影响,发现忆阻负载会扩大该变换器的正常工作区域,但其并未通过解析表达式说明忆阻器参数是如何影响变换器的稳定运行区间的。……