龙会跃，李 明，郭 艳

(湖南红太阳光电科技有限公司，长沙 410205)

0 引言

目前，等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)是在硅片表面镀制减反射膜的主要方法。该方法是向炉管反应室腔体中通入工艺气体，采用射频放电产生等离子体，工艺气体在等离子体中获得能量被激发、电离，发生化学反应生成氮化硅，并在硅片表面沉积形成氮化硅薄膜的过程[1]。

按照样品安放结构的不同，PECVD设备可以分为管式PECVD设备和平板式PECVD设备。研究人员对管式PECVD设备沉积氮化硅薄膜时的工艺参数调整进行了大量研究，研究结果表明，工艺气体流量比、沉积温度、射频功率、反应室压力等都会影响氮化硅薄膜的沉积速率、膜厚均匀性与折射率，以及钝化效果等[2-4]。随着光伏发电越来越趋近于平价上网，这就要求太阳电池制备的各生产环节不断提高生产效率，从而降低生产成本。

本文以提高光伏设备的产能来降低生产成本作为出发点，提出了一种优化后的管式PECVD设备结构，其合理利用了设备的净化台空间，增加了具有预热功能的结构部件，构成了预热型管式PECVD设备，减少了镀膜工艺过程中的恒温时间，从而缩短了镀膜工艺的总时长，同时还有利于提高太阳电池的光电转换效率；然后通过实验研究了结构优化后的预热型管式PECVD设备对镀膜性能的影响。

1 预热型管式PECVD设备的结构

1.1 整体结构

常规型管式PECVD设备主要由上料滑台、净化台、炉体柜、气源柜、真空泵、下料滑台等组成。预热型管式PECVD设备是在常规型管式PECVD设备的炉体柜一侧增加了预热腔，并在净化台区域增加了预热传送区。……