（清华大学电机系，北京 100084）

随着宽禁带器件研究的逐步发展，基于SiC尤其是SiC MOSFET的电力电子器件，正在得到越来越广泛的应用。由于SiC材料本身具有更高的禁带宽度，击穿场强和热导系数，SiC基器件相对Si基器件在通态损耗、开关速度、工作温度等方面表现出明显的优势，可以满足更广泛的应用需求[1-2]。其中，在极端温度下的应用已成为SiC MOSFET的重要研究方向，而对SiC MOSFET温度特性的研究就显得尤为重要。

近些年来，国内外诸多学者都对SiC MOS⁃FET的温度特性进行了研究。国内主要有文献[3]针 对 1 200 V∕36 A 单 管 SiC MOSFET 在 25～150℃温度条件下对开关延时、开关损耗进行了测定。文献[4]对1 200 V∕40 A单管SiC MOSFET的阈值电压、跨导、通态电阻等静态参数进行了测定，测试温度条件为25～150℃。国外文献中的研究相对更加完备。文献[5]对动态和静态参数进行了综合测量，测试温度达到200℃。文献[6-7]则对低温下的参数也进行了测试，测试温度条件为-100～200℃，并对结果进行了分析。文献[8-9]在改变温度的同时，对门极电阻、负载电流都进行了不同工况下的动、静态参数对比，并在实际的DC-DC变换器中也进行了测试。

已有的工作对高低温环境下的动、静态参数都有了完备的测试结果，但之前的工作大多采用单管进行测试，负载电流都没有超过50 A。但实际中，大功率模块的电流远不止50 A，以CREE的CAS300M12BM2半桥模块为例，其标准为1 200 V∕300 A。而在模块大电流的工况下，温度特性尤其是暂态特性的相关工作做的还不够。除此之外，先前实验中，以高温为例，多采用热盘对SiC MOSFET加热的方式，只有SiC MOSFET的壳体与热盘接触时，测试环境才相对开放。……