申请(专利)号：CN202110755055.3

公开(公告)日：2021-11-16

申请(专权)人：北京化工大学;巨化集团有限公司;中巨芯科技有限公司;浙江凯圣氟化学有限公司

摘要:本发明提供一种电子级氢氟酸的连续化 制备系统及方法,半导体器件的制备过程采用特殊工艺生产的电子级氟化氢进行蚀刻和清洗,本申请的电子级氟化氢,利用亚氟/氟气协同氧化效应结合超重力氧化反应/分离耦合强化技术,将原料中杂质离子深度氧化,显著降低杂质离子含量。根据工业试验结果,采用本发明的系统和方法生产得到的电子级氢氟酸中杂质含量小于3ppt,As、Fe、Ca、B 等杂质元素含量均较当前主流工艺减少10倍以上,其中最主要杂质As的含量降低至0.001ug/L以下,相较于当前主流工艺减少200倍以上。