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SiCp/Cu复合材料的研究进展

2021-04-03曾昭锋周波涛熊宣雯李著龙王国强

粉末冶金技术 2021年2期
关键词:复合材料界面工艺

曾昭锋 ✉,周波涛 ,熊宣雯 ,李 翔 ,李著龙 ,王国强

1) 汉江师范学院物理与电子工程学院,十堰 442000 2) 汉江师范学院新型功能材料制备与物性研究中心,十堰 442000

✉通信作者, E-mail: 524760608@qq.com

金属陶瓷复合材料在现代科技和生活中显示出越来越重要的地位。SiCp/Cu颗粒增强铜基复合材料是金属陶瓷复合材料家族中重要的一员,也是目前金属陶瓷复合材料研究的热点之一,集合了SiCp和金属Cu的优点,具有导热性能好、耐高温、耐磨损及力学性能优异等特点,其性能可设计并且制备工艺简单,生产成本低廉,被广泛用作电子封装材料、大规模集成电路引线框架、焊接电极材料以及高温轴承材料[1-9]。本文从SiCp/Cu颗粒增强铜基复合材料的制备方法、影响因素、存在问题及发展方向等方面对其展开综述。

1 SiCp/Cu复合材料的制备方法

目前SiCp/Cu复合材料制备方法主要包括包覆粉末热压法、压力浸渍法、机械合金化法和放电等离子烧结法。

1.1 包覆粉末热压法

SiCp与Cu的润湿性差,制备过程中很容易出现界面结合问题,因此常采用化学镀、电镀等方法在SiCp表面包覆Cu来改善界面结合,先将SiCp用Cu粉末包覆,然后进行热压烧结。包覆法还可以在一定程度上减少SiCp团聚,通过包覆烧结可以使SiCp分布均匀,改善界面结构,有利于提高复合材料相对密度,从而促进材料综合性能的提高[10]。

Yih和Chung[11]将直接混合烧结法和包覆粉末烧结法进行对比,发现采用直接混粉烧结制备的SiCp/Cu复合材料,当SiCp体积分数高于38%时,存在大量孔洞,结构致密性差;……

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