宁永成

（中国空间技术研究院， 北京 100094）

0 引言

目前IC 的气密性封装主要有平行缝焊和低熔点焊料熔焊封装（以下简称熔封）。 平行缝焊由于在封装过程中管壳局部区域需承受较大的压力和高温冲击（温度瞬间可达1 100 ℃）， 缝焊后的管壳存在较大的残余应力。 而国产外壳焊环和瓷片之间的结合不理想， 封焊时产生的热应力往往使得该部位产生裂缝。 另外， 在外壳焊环处、 外引线钎焊处与瓷片之间出现漏气的比例也不少[1]。熔封工艺由于密封时管壳承受的应力小、 温度低（一般仅有300 ℃）， 产生的热应力小， 对管壳的要求不像平行缝焊那样苛刻， 因此它是一种比较好的封装工艺， 目前已广泛被采用[1]。 因此军用宇航用高可靠金属盖板陶瓷管壳的空封器件中， 采用熔封工艺的还占有一半以上的比例。 在对进口和国产金属盖板熔封器件的密封质量进行针对性检查时发现， 均存在漏检的情况， 并且密封质量存在缺陷是极其普遍的现象。 这说明在针对密封质量的X 光检查上， 存在检查的有效性问题。 另外， 目前国际标准和国内标准在X 光检查的判据上存在差异和争议。

1 标准要求对比

针对密封质量的X 光检测方法， 分立器件有MIL-STD-750[2]、 GJB 128[3]的方法2076； 集成电路有MIL-STD-883[4]、 GJB 548[5]方法2012。对上述方法中判据要求进行了对比， 结果如表1所示。

表1 X 光对密封质量检查的判据对比

从表1 中可以看出， MIL 标准中， 分立器件和集成电路对密封有效宽度的要求是不低于设计宽度的25%。 而GJB 548B-2005 和GJB 128A-1997规定的是75%[6]。 GJB 方法的判据要比MIL 的判据加严很多。……