赵婉婉，冯 懿，陈子馨

（1.上海电力大学，上海200090；2.国核自仪系统工程有限公司，上海200241）

引言

随着功率半导体器件的不断发展，功率器件逐渐成为人们研究的热门器件。而横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）作为常用的功率器件，因其制造工艺简单且易实现，一直是人们研究的重点[1]。

导通电阻和击穿电压作为LDMOS 的重要参数，低导通电阻高击穿电压一直是研究学者研究的主要方向[2]。提高LDMOS 器件性能的技术有：超结技术[3]、场板技术[4]、降低器件表面电场[5]等技术。降低器件表面电场（Reduced Surface Field，RESURF）技术，通过辅助耗尽作用，优化LDMOS 器件漂移区的电场分布，提升LDMOS 器件性能。随着RESURF 技术的不断发展与改善，人们提出了Double-RESURF 及Triple-RESURF 结构等改善器件的性能。RESURF 技术，主要是通过优化器件的横向电场，提高器件击穿电压，达到改善器件击穿电压的目的。而器件击穿电压大小，不仅与器件横向电场有关，也与器件的纵向电场有关。通过对器件纵向电场的优化，也能有效改善器件的击穿特性。

本文在Double RESURF 器件结构的基础上，通过在衬底上引入部分N 型浮空层，构建了一种带有部分浮空层 的LDMOS （Partial floating layer LDMOS，PFL-LDMOS）。利用TCAD 仿真软件，对器件进行电学仿真，通过对仿真结果的分析与讨论，进一步优化器件的结构参数，改善器件性能。

1 器件结构

图1 为器件的结构图，其中（a）为PFL-LDMOS 结构图，（b）为具有Double RESURF 结构的LDMOS（D-LDMOS），（c）为传统LDMOS（Con-LDMOS）器件结构图。图中Ld 表示器漂移区长度，Tepi 为浮空层距离器件漂移区的距离以此来表示浮空层的位置，Lf 表示器件浮空层的长度。由图可知D-LDMOS 相较于传统LDMOS 器件，漂移区中掺杂了P 型埋层，P 埋层辅助耗尽漂移区，改善器件性能。……