夏德威，杜传报，曹 菲，张 辉,毛从光†

(1. 火箭军工程大学，西安710025;2. 西北核技术研究所,西安710024)

高空核爆炸电磁脉冲(high-altitude electromagnetic pulse, HEMP)频段能量分布宽、场强峰值高及广域式分布等特点，能对数百至数千千米范围内的电子通信装备造成损伤[1]。通过大量的脉冲辐照和电流注入试验发现，从天线端口耦合进入设备的脉冲能量易对通信设备射频前端的核心器件造成干扰、性能降级和硬损伤。其中，低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)噪声系数很低，常作为各类无线电接收机的前置放大器，是射频前端主要的核心电磁敏感易损器件，故障率高，是造成通信装备接收性能严重下降的主要原因。因此，非常有必要研究LNA的电磁脉冲易损性和损伤阈值分布，评估它们对系统的影响，研究相应的防护加固措施。

目前，针对LNA效应的研究主要集中在高功率微波效应方面，从脉宽、能量和功率的角度研究半导体效应损伤特征。方进勇等[2]通过实验总结了脉宽与半导体效应阈值呈反比的关系，但在某一拐点后，阈值不再随脉宽增加而发生变化；席晓文等[3]研究发现，LNA出现的金属化损伤随注入脉冲能量的增大而增大；Nitsch等[4]通过仿真从基极注入不同功率的脉冲到低噪放电路发现，随着注入功率的增加，电路进入饱和状态，增益下降，最后三极管击穿；邵雅楠等[5]通过仿真注入不同峰值功率的脉冲，基于不同程度损伤建立了分段损伤模型。关注LNA的HEMP效应较少，主要集中在对继电器和埋地电缆等的研究[6-8]，在注入试验方法上通常采用标准方波脉冲[9]。……