刘鑫妍，孙冠伟，刘 喆，孟凡源，苏仕健

(华南理工大学 材料科学与工程学院，广东 广州 510640)

1 引 言

1992年，Hong等人制备了第一个准二维钙钛矿LED，但因为钙钛矿内部很强的激子-声子耦合作用，所以该器件只能在低温下制备和点亮[9]，钙钛矿LED的发展因此低迷了很久。2014年，Ten等人制备了第一个可以在室温下点亮的有机卤化物钙钛矿LED，但也因为其较差的成膜性以及高比例的缺陷态非辐射复合效应导致其EQE只有0.76%[10]。此后，大量方法应用于提高钙钛矿LED效率，比如制备具有量子限域效应和能级漏斗效用的准二维钙钛矿结构，使用有机物钝化钙钛矿晶体以提高激子束缚能，或在旋涂成膜时利用反溶剂改善薄膜质量等[11-13]。基于此，钙钛矿LED取得巨大进步，在绿光、红光及近红外方面，EQE均取得超过20%的成绩，对于蓝光LED，EQE也已经超过10%[14]。

虽然钙钛矿LED已经取得了优异的成果，但是，三维钙钛矿在旋涂成膜过程中，由于溶剂挥发和晶体生长同时进行，导致钙钛矿晶粒较大且薄膜质量较差这一问题仍旧存在[13]。为了克服这一缺点，大部分研究者使用不良溶剂加速原溶剂挥发获得小晶粒的钙钛矿薄膜。但是，反溶剂工程需要严格掌控滴落时间，且器件重复性较差[15-16]。因此，本文提出利用有机添加剂EAI在旋涂成膜的过程中钝化钙钛矿，减小晶粒尺寸，从而获得高质量高覆盖率的钙钛矿薄膜。在研究了不同EAI掺杂比例的钙钛矿薄膜形貌和光学性质的基础上，制备出相应的深红光钙钛矿LED，最大EQE为7%。……