李浩然，祁可敏，许艺蓉，王 斌，林晨晨，张羽泽，任治兵，郑兴华，

（1.福州大学 至诚学院，福州 350002；2.福州大学 材料科学与工程学院，福州 350108）

引言

巨介电常数材料对于器件的小型化、电路的简单化和规模化都具有非常重要的现实意义。早在1940年，人们在研究BaTiO3（BT）电容器时发现铁电现象导致了BT具有异常高的介电常数。这使得其在历史上曾一度与锆钛酸铅（PZT）共同支配电介质领域[1]。2000年Ramirez和Subramanian等首次报道了CaCu3Ti4O12（CCTO）材料具有巨介电常数[2,3]，随后CCTO材料获得了越来越多的关注，其不仅制备工艺简单而且在100～600 K温度范围内具有稳定的巨介电常数[2-6]。另外，CCTO陶瓷也被报道具有优异的压敏性能，非线性系数高达900～1500[7,8]。CCTO材料的这些优异性能，使其有望在微电子、通讯、军事等领域得到应用。

目前，大多数学者认为CCTO巨介电常数来源于内部阻挡层电容（IBLC）结构，但是IBLC形成机制仍存在较大争议[7-10]。CCTO陶瓷的制备方法很多，多数为传统固相烧结工艺，通常采用较长的烧结时间(12 h～24 h)，报道的性能存在明显的差异，特别是压敏性能，非线性系数从高到数百到不足10[7-11]。仲崇成等[12]固相反应烧结法制备CCTO陶瓷也具有巨介电常数。但是目前对CCTO陶瓷的压敏性能的研究发现其压敏性能中非线性系数基本上低于10，这可能与其晶界结构以及高损耗有关。微波烧结具有内部加热、升温速率快、温度均匀、烧结时间短等特点，广泛应用于功能陶瓷制备中。

基于以上分析，本项目采用微波烧结方法快速制备CCTO基陶瓷，期望抑制晶界富Cu现象；同时通过改变La掺杂提高其绝缘电阻、降低损耗。……