刘庆，戴小凤，张腾，施洪斌，张亚兵，王涛

（清华大学化学工程系，化学工程联合国家重点实验室，北京100084）

引 言

随着技术的发展，电子工业对兼具高导电性、高导热性、高柔性材料的需求与日俱增[1]。在很多电子器件的典型生产过程中，氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)透明导电薄膜常作为重要的组成部分，以保证器件优异的光电性能；而锡铅焊料常作为黏结剂，将不同的器件进行连接，保证器件间能够进行良好的导热、导电。然而，ITO 薄膜和锡铅焊料等柔性较差，不能满足柔性电子的要求。在传统电子材料的替代者中[2]，以金属纳米线为关键成分的新材料拥有优异的导电、导热性能，在基础研究和应用研究方面受到了极大的关注[3]。

金属纳米线是在三个维度中，有两个维度处在纳米级别的一维金属材料。独特的结构和由此产生的限域效应、量子尺寸效应等使其拥有与宏观材料不同的物理性能。金属纳米线应用广泛，其产业链的发展涉及材料、设备、工艺与应用等诸多方面，但关键技术在于金属纳米线的制备。因此，开展金属纳米线新型制备技术的研究，以实现金属纳米线的高效率、低成本、大规模生产，具有十分重要的意义。如图1 所示，本文阐述了近年来金属纳米线常见的制备方法，并介绍了其在电子材料中的主要应用。

1 金属纳米线的制备

金属纳米线种类繁多，形态各异，制备方法也不尽相同。根据合成体系相态的不同，金属纳米线的制备技术大体可以分为气相合成法和液相合成法，以下将对这两类合成方法进行论述。……