成都嘉纳海威科技有限责任公司 吕继平 钟 丹 王测天 邬海峰

青海民族大学物理与电子信息工程学院 林 倩

近几年5G通信的广泛普及导致市场对于无线通信设备及芯片的需求猛增。由于功率放大器是无线通信射频前端中功率输出部分，主要完成对射频信号的不失真放大，同时兼顾系统对带宽、功率、效率和线性度的要求；而射频驱动放大器作为5G无线通信射频前端中的重要器件，一般放在功率放大器的输入端，为后级功放提供中功率输入信号，因此驱动放大器需满足在保持线性度的条件下具备较高的增益和较大的功率输出，因此驱动放大器的工作带宽、输出功率、增益、线性度等关键指标对5G无线通信信号质量有着重要影响。尤其在L波段，由于传输损耗更小，穿透力更强，信号覆盖面积更广，适用于大范围网络覆盖，如将其用在组网基站可降低基站成本，因此5G系统迫切需求L波段驱动放大器芯片，并且要求其具备低成本、宽带、高线性度指标。

本文基于2μm GaAs HBT工艺设计实现了一款0.4～1.4GHz宽带高线性度驱动放大器芯片。该驱动放大器采用一级放大电路结构，结合自适应偏线性化偏置与负反馈技术，实现了良好的输入、输出驻波、噪声系数和线性度指标。芯片面积为800×650um2。在3.3V供电电压下，该放大器芯片实测静态电流为52mA，在0.4～1.4GHz工作频带内，典型增益为17dB，输出P1dB大于19.2dBm，OIP3大于39.5dBm。该芯片在-40℃、+25℃、+115℃三温条件下核心指标增益、输出P1dB、OIP3值在±1dB以内，呈现了良好的温度波动特性，同时在3.15V、3.3V、3.45V三种供电电压下，核心指标±0.5dB以内，适合5G通信系统的应用。……