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探索记忆电阻 创新人工智能
——记北京大学信息科学技术学院微纳电子学研究院助理研究员黄鹏

2021-02-26倪海波

科学中国人 2021年2期
关键词:研究

倪海波

博士毕业照

阿里达摩院在2020年1月发布了《2020十大科技趋势》报告,其中第二大趋势为“计算存储一体化突破AI算力瓶颈”。报告指出:“数据存储单元和计算单元融为一体,能显著减少数据搬运,极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化在硬件架构方面的革新,将突破AI算力瓶颈。”

现有的研究证明,忆阻器可替代经典计算机底层的晶体管,把冯·诺伊曼架构里的处理、内存、外存都融合在一起,构建存算一体阵列,以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升计算设备的算力,突破传统计算框架“冯·诺依曼瓶颈”的限制。但现实远比理想骨感,想要制备具有高一致性、高可靠性的多值忆阻器阵列十分困难。

北京大学信息科学技术学院微纳电子学研究院助理研究员黄鹏敏锐地意识到,忆阻器潜力远远不止如此,就像当年晶体管替代电子管一样,忆阻器可能给信息技术的物理基础带来颠覆性变化,可能给国家和军队带来抢占信息技术未来制高点的重大战略机遇。如果朝这条路发展下去的话,或许能再一次延续摩尔定律的生命,诞生出新一代的智慧机器人。

一切从兴趣出发

黄鹏总能想起2011年的某个深夜,北大的校园里已经没有什么人了,微纳电子学研究院的办公室却还亮着灯,他正在熬夜修改自己的第一篇会议文章,这也是他第一次参加行业最顶级的会议,导师刘晓彦教授在旁边耐心、细心、认真地指导他。“第一次写毫无经验,deadline(截止时间)也快到了,很着急。……

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