安森美半导体发布新的600 V SUPERFET®V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET®系列下的3个产品组——FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

600 V SUPERFET®V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI），这对服务器和电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的VGSS（DC±30 V）增强了系统可靠性。

FAST版本在硬开关拓扑结构（如高端PFC）中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷（Qg）和EOSS损耗，实现快速开关。该版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩ RDS(on)），都采用TO-247封 装。NTP185N60S5H则 采 用TO-220封 装，NTMT185N60S5H采 用8.0 mm×8.0 mm×1.0 mm的Power 88封装，保证达到湿度敏感等级MSL 1，并具有开尔文源架构，以改善门极噪声和开关损耗。

Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻（Rg）及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途，包括PFC和LLC。在这些器件中，门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS(on)超过120 mΩ，对门极氧化物的应力更小，ESD耐用性更高，从而提高封装产量，降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)为99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封装。

快速恢复（FRFET®）版本适用于软开关拓扑结构，如移相全桥（PSFB）和LLC。它们的优势是快速体二极管，并提供降低的Qrr和Trr。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的NTP125N60S5FZ的RDS(on)为125 mΩ，采用TO-220封装，而NTMT061N60S5F的RDS(on)为61 mΩ，采用Power 88封装。损耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS(on)仅19 mΩ，采用TO-247封装。