合肥京东方光电科技有限公司 王效坤 房伟华 刘 飞 郭如旺 朴祥秀 刘祖宏

ADS产品SD制程时产生的膜层黑点不良，影响产品良率。本文研究了膜层黑点不良的形成机理和影响因素，结果表明：膜层黑点不良是膜层沉积时，底部膜层水气释放导致的膜层鼓包；SD层前制程工艺Strip0（1stITO Strip）工序导致的干燥不良，是膜层黑点产生的根本原因；SD设备水气去除能力的差异，导致了成膜机台黑点不良发生率的不同。降低Strip0工序设备的传送速度，增加SD成膜前的烘烤温度，对设备冷阱保养以加强设备H2O抽除能力等，可降低膜层黑点不良的发生，对于发生率较高的SD#03不良的发生次数降低了约90%。对于产生黑点不良的产品，可以通过湿法除膜，重新沉积的方式进行改善，以降低损失。

TFT-LCD显示技术，按显示原理可分为TN模式、IPS模式和VA模式，IPS技术又逐渐衍生出高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch，简称ADS技术）。ADS模式TFT-LCD结构中，common电极和显示电极不在同一层，处于开态时同时存在水平电场和垂直电场，驱动液晶分子在盒内旋转，其抵抗外力“按压”能力强（按压时液晶分子排列基本不会发生变化），兼具高透过率，高分辨率，广视角和低功耗等优势，所占市场份额逐渐增大

在ADS模式TFT侧基板制程中，为了形成common电极和显示电极，需要分两次进行ITO膜层沉积工序，为便于区分分别称为1stITO和2ndITO，如比较常见的为6Mask工艺：Gate (栅极)→ACT→1stITO→SD→PVX→2ndITO。每道Mask工艺需要经历清洗、膜层沉积、Mask（经PR涂覆、曝光和显影等工序形成图案）、刻蚀（湿法和干法）及Strip（PR胶剥离）工序，依次循环，直至完成TFT基板制程。……