王 勋，罗尹虹，丁李利，张凤祁，陈 伟，郭晓强，王 坦

(西北核技术研究院 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室，陕西 西安 710024)

为了克服上述问题，本文提出基于概率统计的MCU信息提取方法。首先计算翻转逻辑地址间的按位异或(XOR)和汉明距离(dH)，然后根据XOR和dH的统计结果提取器件的MCU模板，最后利用该模板提取SEU实验数据中的MCU信息。

1 方法思路

一般存储器的内部物理地址和外部逻辑地址均为2进制表征，且宽度一致，尽管高低位排序可能不一致，但两种地址的位之间存在一一映射关系。因此，一些关于物理地址位的统计结果对逻辑地址位同样适用。首先分析物理相邻的地址特点，对于2进制编码的内部物理地址，相邻地址之间编码一般是从全0到全1顺序排列(表1第1列)。若2个相邻地址之间进行按位取异或，可得到表1中第2列给出的XOR参数，则XOR参数中1的个数即是2个相邻地址之间的汉明距离，定义为dH参数。由表1可知，相同的dH对应的XOR相同。此外，dH越小其出现次数越多，出现次数随dH近似呈指数速度降低，对于n位二进制地址空间，不同dH出现的次数占比PdH为：

表1 2进制编码地址相邻的特点Table 1 Binary coding of adjacent cell

(1)

上述分析是连续物理地址之间的XOR和dH统计结果，由于MCU中的翻转位是物理地址相邻的，因此也具有上述特点，即相同dH下地址之间的XOR是相同的。

考虑到SEU的随机性，从概率上讲，独立的SEU地址等价于从地址空间中逐个随机选取的地址；若SEU实验数据中不含MCU，则统计翻转地址间的XOR和dH时，相同dH对应的XOR不是唯一的，而是随机的，相同dH下所有的XOR近似为平均分布。……