崔会会 孙同明 王 淼＊, 陈 磊 汤艳峰＊,

(1南通大学化学化工学院，南通 226019)(2江苏科技大学环境与化学工程学院，镇江 212003)

0 引 言

由于器件加工技术的限制，传统磁性材料[1]在高密度信息存储和器件微型化方面越来越趋近于极限。而对于化合物[Mn12O12(OAc)16(H2O)4]·2AcOH·4H2O(Mn12Ac)[2]的探索研究导致了一种新型磁性材料的诞生，该类磁性材料被称为单分子磁体(SMMs)。单分子磁体的磁性来源于分子本身，是一种真正意义上具有纳米尺寸的分子磁体。单分子磁体具有磁双稳态，在交流磁场中呈现缓慢磁弛豫现象，当这种慢磁弛豫行为来自单个离子时，被称为单离子磁体(SIMs)。单分子磁体在近二十年来取得了飞速发展，并成为化学、物理、材料等多个领域的研究热点[3-5]。

对于过渡金属簇合物构筑的单分子磁体，其翻转能垒U是由体系的基态总自旋值S和负的零场分裂参数D共同决定的，它们的关系可表达为：U=|D|S2(整数自旋系统)或者U=|D|(S2-1/4)(半整数自旋系统)。其中，基态总自旋值S由簇合物中每个金属离子的自旋值以及它们的磁相互作用所决定，而零场分裂参数D也叫各向异性参数，代表轴向零场分裂的参量。最初，研究者们试图通过提高分子内顺磁离子的数量来提高基态自旋值从而获得高性能单分子磁体。然而，当分子内核数越多，S越大的时候，各个顺磁性离子的磁各向异性通常会因为互不平行排列而相互抵消，D值会随着S的增大反而减小[6]，因此仅通过提高S值并不能有效地提高翻转能垒。而构筑单核配合物，则可以避免这种情况，但会存在一个明显的问题：体系中的自旋值是固定的。……