（南通大学 信息科学技术学院，江苏 南通 226019）

在超大规模集成电路（very large scale integrated circuits，VLSI）生产中，涂胶工艺主要用于涂布光刻胶薄膜[1-3]。旋涂法以其材料适用范围广、设备操作简单等优点，成为了主要的涂胶方式。应用旋涂法进行注入层光刻胶涂布时，由于注入层经过多次刻蚀后形成的高台阶衬底，对光刻胶涂布后的随型性和胶厚均匀性都产生了不良的影响[4-6]，导致注入层的关键尺寸（critical dimension，CD）的均匀性变差，最终影响器件的性能和良率[7-9]。为了解决因高台阶引起的CD 均匀性差的问题，朴韓守等[10]和翟荣安[11]分别提出电沉积法和雾化喷涂法，但是，这两种方法都存在设备价格昂贵和工艺条件单一等缺点，未能在注入层涂胶工艺中被广泛应用。Shih 等[12]人通过优化传统旋涂工艺，提出一种接触式平面化工艺，改善了多次光刻中台阶密度分布不均引起的注入层CD 均匀性差的问题；但是，这种方法是通过大量使用光刻胶来达到注入层表面光刻胶形貌平坦化，这造成了光刻胶的浪费和增加了环保处理成本[13-14]。因此，需要进一步研究注入层旋涂法涂胶工艺与高台阶的分布状态关系，探索影响注入层CD 均匀性的高台阶几何状态，优化版图设计，降低制备高台阶结构器件的成本，提高光刻良率[15-16]。

本文通过设计具有不同高台阶分布、疏密、宽窄及不同高台阶距曝光图形距离等几何参数的切割道版图，研究高台阶对注入层CD 均匀性的影响。通过优化高台阶版图设计，改善了全局CD 均匀性，提高了器件的稳定性和良率。……