氧化银-钽酸钠复合光催化剂的制备及光催化处理染料废水的研究
2021-01-05熊亦杨李鑫苏蝶廖金霞杨钰欣付忠田
环境保护与循环经济 2020年11期
熊亦杨 李鑫 苏蝶 廖金霞 杨钰欣 付忠田
(东北大学资源与土木工程学院,辽宁沈阳 110819)
1 引言
生产染料与颜料的工艺会排放出含有有机染料的废水,据统计,12%左右的合成染料在生产和处理过程中随废水排出[1-2],它们具有复杂且稳定的芳烃结构,生物方法降解极为困难。光催化技术的稳定性好,催化作用强,不产生二次废物,矿化彻底,可广泛应用于染料废水处理领域。
自1972 年Fujishima 和Honda[3]的发现公布以来,人们对TiO2半导体光催化剂及其衍生材料进行了广泛的研究,此类n 型半导体导带电势高而价带电势低,带隙能约为3.0 eV[4],因此光催化反应驱动力较强,但太阳光利用效率与光催化量子效率低。为了扩大半导体的光吸收范围,抑制电子-空穴对的复合,提高光降解能力,研究人员使用了离子掺杂[5]、形貌调控[6]、贵金属沉积[7]、构建异质结[8]等方法。由于异质结可优化光催化剂的能带结构,提高光催化性能,此类复合光催化剂具有极大研究价值和良好应用前景。
不同性质的单晶半导体颗粒组成的异质结内,能带偏移形成了异质结处内建电场[9],电场力可加速载流子的转移和定向移动,从而降低了光催化过程中光生电子与空穴的复合概率[10],延长了光致电荷的寿命。目前构建纳米异质结的半导体复合光催化剂大部分为n-n 型半导体,如TiO2/SnO2,TiO2/WO3,Bi2O3/TiO2,SiO2/TiO2,CdS/TiO2等体系[11-15]。n 型半导体自由电子密度高于空穴密度,其作为n-n 型半导体的空穴受体组分时,空穴迁移能力低,限制了光催化活性的提高。……
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