张小亮， 徐亚楠， 陈月花

(南京邮电大学 有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地， 江苏 南京 210023)

1 引 言

白光有机电致发光器件(White organic light-emitting diodes，WOLEDs)因其在固体照明、背光板等方面的应用潜力，受到研究人员的广泛关注，已成为光电领域的研究热点[1-3]。在大尺寸显示领域中，OLED由于高对比度、超广视角和大面积柔性显示等优点表现出很大的应用潜力[4-6]。有源矩阵OLED(AMOLED)技术在大面积、低功耗和高质量显示器中具有广阔的应用前景。由于倒置OLED(Inverted OLED,IOLED)相比传统OLED可以与目前技术成熟的n沟道非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFTs)直接集成，因而获得了广泛关注[7-8]。但对于倒置OLED器件而言，仍面临着一系列的问题，如传统的电子注入层与发光层间存在较大的注入势垒，导致电子注入效率低。人们通常引入具有优越光学及电学特性的金属氧化物(ZnO、TiO2、SnO2等)[9-14]修饰ITO，可有效降低电子注入势垒，提高电子注入效率。但与此同时，金属氧化物薄膜的表面缺陷过多，会导致界面激子猝灭严重。为解决这一问题，本文尝试引入界面修饰层以钝化ZnO表面缺陷态，减少激子猝灭，提高电子注入效率，平衡电子和空穴的注入，进而提升IOLED器件的性能[15-17]。

金属氧化物ZnO是一种典型的n型半导体材料，由于其高的可见光透过率、电子迁移率和合适的导带能级(4.1～4.3 eV)，常用于有机半导体光电子器件的电子注入层[18-21]。此外，ZnO具有较深的价带能级，能有效阻挡空穴，抑制器件的漏电流，提升电子和空穴的复合效率。然而，溶胶-凝胶方法制备的ZnO薄膜，表面往往存在一定的陷阱，会引起激子猝灭，降低器件性能。……