徐宏武，徐德华，何 嘉（.中国矿业大学离退休处，江苏 徐州 008；.南京仙林尚东花园, 江苏 南京 0000 ）

β-SiC 是硬度稍次于金刚石的少数物质之一，但其韧性较优，有特殊的磨削性能，热稳定性最佳，抗辐照性和抗热振性极佳，广泛用于军工、民用高温耐热及抗热振材料；航空航天用先进复合材料；核潜艇用高端耐火材料；金属基、陶瓷基复合材料，特适宜于空间光学反射镜体系，已逐渐发展成为一种具有广阔应用前景的新型反射镜材料[1]。粉体技术定义 100% 且粒径 ＜30 μm 的粉体为超细粉体[2]。本文的纳米粉体至少有一维 100～1 nm 的粉体。传统制备 β-SiC 粉体，基本原料为 SiO2、Si、C，制备温度范围 1 500～2 100 ℃，或利用固相先驱体聚炭硅烷在一定气氛下直接热解的方法，或气相合成法 2 SiH4(g)+C2H4(g)=2 SiC(s)+6 H2(g)，合成温度 1 500 ℃，或 Si+C=SiC，合成温度 1 380 ℃，或 SiO2+3 C=SiC+2 CO(g)，合成温度为 1 450～1 600 ℃，原料 Si 的粒径 5 μm 左右，SiO2粒径为 50 μm 左右,或以 CH3SiCl3为原料的等离子体气相反应合成[3]。日本发明专利昭 47-2433 使用 Si、硅石、C 等在 1 700～1 900 ℃ 反应 10 h 制备 β-SiC 晶体。这些制备技术中的所用原料要求纯净，有的为易燃易爆物质，其制得、运输和储存成本较高。再者，合成温度较高，通常为 1 500～2 100 ℃，为此，反应系统工作条件严酷。这就给规模化生产增加了难度，使其经济效益和社会效益受到限制。ZL 201010570156.5 发明专利[4]利用粉煤灰、稻壳做原料，工业化制备出 β-SiC 纳米粉体，并首次制备出 β-SiC 纳米多芯“缆管”（Nano Multi-Core “Cable Duct”)。通过 XRD、TEM、EDS 测试表征了 β-SiC 纳米粉体。原料资源丰富，价廉易得，运输、保存方便，合成温度较低，工业化生产易行，制备过程产生的 CO 可回收再利用，为绿色合成，将产生巨大的经济效益和社会效益。……