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二次离子质谱仪(SIMS)分析技术及其在半导体产业中的应用

2020-10-21昌鹏

科学导报·学术 2020年28期

昌鹏

摘  要:二次离子质谱仪(SIMS)是一种成熟的应用广泛的表面分析技术,具有高灵敏度(ppm-ppb)和高分辨率。本文介绍了SIMS基本原理和分类及其在半导体产业中材料分析、掺杂和杂质沾污等方面的应用。

关键词:SIMS;半导体;表面分析;材料分析

1 前言

SIMS作为一种成熟的表面分析技术已经发展了半个世纪,最初主要是用在半导体产业的工艺研发、模拟和失效分析等,在近二、三十年来得到迅速发展,并逐渐推广到应用于金属、多层膜、有机物等各个领域。SIMS具有很高的微量元素检测灵敏度,达到ppm-ppb量级。其检测范围广,可以完成所有元素的定性分析,并能检测同位素和化合物。SIMS具有高的深度分辨率,通过逐层剥离实现各成分的纵向分析,深度分辨率最高能到一个原子层。

半导体材料通过微量掺杂改变导电性质和载流子类型,并且特征尺寸降到亚微米乃至纳米量级。上述特点使SIMS在半导体生产中的材料分析、掺杂和杂质沾污等方面得到广泛应用。

2 SIMS基本原理

SIMS是溅射和质谱仪的结合,可识别样品中的元素,因此是许多分析方案的首选测试手段。作为半定量的手段,在SIMS质谱图中二次离子的峰值并不能直接反应样品中元素的浓度。SIMS原理示意图如图1所示。能量在250 eV到30 keV的离子束轰击样品表面即可产生溅射现象。一次离子进入基体后会产生大量高强度但存在时间短促的碰撞级联,基体中的原子发生位置迁移。接近表面的原子得到足够能量会离开样品表面,称为溅射原子。……

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