美国研发用于三维电子器件制造的新型3D打印技术

美国加利福尼亚大学洛杉矶分校研发出一种新型3D打印技术，通过电荷将材料引导至特定位置，可满足三维电子器件复杂结构和多种材料的制造需求。

该方法的打印速率为26 000mm2/h，远高于“气溶胶喷射”的5 600mm2/h和“直接书写”的113mm2/h。

目前，新型3D打印技术所实现的特征尺寸仅为10μm，还不能满足超高精度集成电路的制造需求，接下来，研究人员计划进一步缩小制造的特征尺寸、扩展材料种类。（国家工业信息安全发展研究中心）

日本大幅提升氮化镓无接触光辅助电化学刻蚀工艺速率

近日，日本SCIOCS公司、日本法政大学、日本Koganei公司以及日本北海道大学通过采取提升过硫酸根（S2O82-）离子溶液温度和254nm波长紫外线（UVC）照射等措施，将基于硫酸根氧化的氮化镓（GaN）非接触式光辅助电化学（CL—PEC）蚀刻速度提高了10倍。研究人员分别采用浓度为0.25和0.025mol/dm3的过硫酸铵进行实验，实验过程中使用热板控制温度，使用高压汞灯发射波长为254nm的紫外光，其功率密度为2mW/cm2。实验结果表明，加热至80℃和高过硫酸铵浓度能使蚀刻速率达到25nm/min。研究人员称该速度比以前报道的速度大高10倍。（国家工业信息安全发展研究中心）

新加坡开发出制备二维蓝磷材料的新工艺技术

新加坡国立大学开发出制备二维蓝磷材料的新工艺技术，首次证明了通过硅原子插层到蓝磷—金（Blue P—Au）材料中，可以制备二维蓝磷材料。

二维蓝磷材料具有较宽的带隙，在光电器件领域应用广泛。……